SK Hynix, второй по величине в мире производитель DRAM памяти, заявил на этой неделе, что они приступают к началу массового производства DRAM по технологии изготовления 20 нм во второй половине этого года. Новый Далее →

SanDisk представила новую карту памяти MicroSD. Она в состоянии хранить до 200GB данных на крошечной, но быстрой карте MicroSD. Новая карта SanDisk Ultra microSDXC UHS-I 200GB Premium Edition предназначена Далее →

Samsung Electronics будет лидировать на рынке DRAM с переходом на техпроцесс 20nm, как говорится в медиа докладе со ссылкой на доверенные источники. Более половины DRAM компании в этом году будет выполнено с Далее →

SK Hynix рассказала своим партнерам о выпуске новых модулей памяти DDR4 с высоким потенциалом для серверов. Хорошей новостью является то, что компания сможет повысить производительность таких решений памяти, однако, Далее →

Ведущим профессиональным оверклокерам удалось установить новый рекорд тактовой частоты DDR4, используя оборудование от Microstar Interational, Kingson и Intel Corp. Хотя результаты разгона современного модуля памяти Далее →

Samsung Electronics в четверг заявили о начале массового производства 8Gb GDDR5 DRAM для графических адаптеров и игровых консолей. Новые чипы позволят производителям графических карт создавать устройства с 8 Гб Далее →

Samsung Electronics объявила о начале массового производства микросхем памяти 8Gb LPDDR4 для смартфонов следующего поколения. Новые телефоны будут оснащены дисплеями с разрешением ультра-высокой четкости, а также SoC Далее →

В настоящее время твердотельные накопители с экстремальными возможностями стоят очень дорого, и даже лучшие из них не могут похвастаться высокой пропускной способностью. Тем не менее, благодаря эволюции NAND Далее →

SanDisk Corp. на этой неделе представила решение, которое может быть полезным для многих владельцев последних iPhone, iPad и iPod Touch с ограниченным количеством встроенной NAND флэш-памяти. Флэш-накопитель SanDisk Далее →

Корпорация SanDisk сделали заявление о том, что они приступят к доставке NAND флэш-памяти, изготовленной с использованием 15 нм техпроцесса уже в этом квартале. Компания будет расширять производство с использованием Далее →

Хотя Samsung Electronics планирует значительно увеличить свои производственные мощности в ближайшие годы, компания не ожидает падения цен на DRAM в 2015 году. Главный исполнительный директор компании уверен, что цена Далее →

Переход с памяти DDR2 к DDR3 проходил значительно медленнее, чем c DDR на DDR2. DDR3 появилась на рынке с платформами Intel X38 и P35 Express, чипсет P35 поддерживал оба типа памяти DDR2 и DDR3, производители Далее →

15.09.2014, 19:12 t1of