В настоящее время твердотельные накопители с экстремальными возможностями стоят очень дорого, и даже лучшие из них не могут похвастаться высокой пропускной способностью. Тем не менее, благодаря эволюции NAND флэш-памяти в целом, и 3D вертикальной NAND (3D V-NAND), в частности, ситуация может измениться в самое ближайшее время, и твердотельные накопители емкостью 10 Тбайт или больше, станут реальностью.
Корпорация Intel на своем Investor Meeting 2014 на этой неделе показала, что во второй половине 2015 года их совместное предприятие с Micron Technology - Intel Micron Flash Technologies (IMFT) - начнет массовое производство чипов 3D V-NAND флэш-памяти с мощностью 256 Гб или 384 Гб. 3D V-NAND чипы будут представлены 32 слоями вертикально расположенных массивов ячеек, которые "связаны между собой" через четыре миллиарда кремниевых отверстий (TSVs).
Предстоящие чипы 3D V-NAND от Intel и Micron позволят твердотельным накопителям обрести емкость, просто не возможную сегодня. По словам Роба Крука, старшего вице-президента и генерального менеджера Intel, 3D V-NAND позволит делать жесткие диски с емкостью 10 ТБ, а так же достичь и более крупных значений в течение ближайших двух лет.
В стремлении представить твердотельный накопитель емкостью 4 Тб Optimus Max в начале этого года, SanDisk пришлось использовать 64 чрезвычайно дорогих 64GB (512GB) eMLC NAND пакетов флэш-памяти (которые объединяют четыре чипа памяти 128 ГБ eMLC в одном пакете), которые располагаются на плоской NAND флэш-памяти и изготовлены с использованием тонких техпроцессов. Напротив, 256GB MLC 3D NAND чип флэш-памяти от Intel, который может вместить до 32 Гб данных (384Gb / 48GB TLC NAND флэш) будет сделаны с использованием больших техпроцессов (Intel не раскрывает, каких именно) и будет реальным прорывом. В результате, многотерабайтные твердотельные накопители будут не просто реальностью, но так же и не будут стоить баснословных денег.
Г-н Крук использовал прототип твердотельного накопителя на основе 32-слойной 256GB MLC NAND флэш-памяти для запуска своего выступления на Investor Meeting 2014, что означает, что технология является жизнеспособной и продукты на ее основе уже функционируют.
В то время как будущие 3D V-NAND чипы от Intel, может быть станут самыми дешевыми в отрасли, их влияние на рынок флэш-памяти NAND может быть ограничено. IMFT может производить около 70 тысяч 300-мм чипов в месяц, что включает в себя различные типы памяти, как сообщает веб-сайт ChinaFlashMarket.com. В то время как Intel и Micron могут изготовить память 3D V-NAND на IMFs (80 тысяч 300-мм чипов в месяц) или MTV (40000 300-мм чипов в месяц), они вряд ли смогут произвести объемы, сопоставимые с Samsung. Южнокорейский гигант производит 3D V-NAND память на своей фабрике в Сиане, Китай, фабрике, которая полностью посвящена прроизводству памяти этого типа и которая может обрабатывать 100 тысяч 300-мм чипов в месяц. Кроме того, Samsung может производить 3D V-NAND память на других объектах, общая производственная мощность которых превышает 400 тысяч 300-мм чипов в месяц.
Хотя Intel не собирается революционизировать рынок NAND флэш-памяти в целом, это по-прежнему представляет собой прекрасную возможность для компании повысить свою долю выручки на рынке SSD. Доходы Intel от продаж NAND и SSD в 2014 году, как ожидается, составит около $ 2 млрд, а благодаря инновациям, таким как 256GB 3D NAND, они будут расти и дальше в ближайшие годы.
Чтобы написать здесь комментарий необходимо