25.06.2015, 15:44

Шрифт: A- A+

Редактировать статью

Компания Samsung Electronics объявила о том, что он начала массовое производство первых зарегистрированных в отрасли двойных регистровых модулей памяти (RDIMM) 64GB DDR4, которые используют трехмерную технологию упаковки TSV. Модули высокой производительности с высокой плотностью предназначены для корпоративных серверов следующего поколения и облачных приложений.

 

Новые модули RDIMM включают в себя 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых состоит из четырех матриц 4 Гб DRAM DDR4. Маломощные чипы изготовлены с использованием технологии Samsung, 20-нанометрового техпроцесса и технологического пакета 3D TSV. Модули 64GB DDR4 рассчитаны для работы на 2133MHz. Также они совместимы с серверами нового поколения, основанными на чипах Xeon E5 "Haswell-EP".
 
Чтобы создать пакет 3D TSV DRAM, матрицы DDR4 стали тоньше до нескольких десятков микрометров, в них же в наличии имеются сотни мелких отверстий. Они соединены вертикально через электроды, которые передаются через отверстия. В результате новый модуль 64GB ТSV выполняет вычисления вдвое быстрее, чем модуль 64 Гб, который использует проводное соединение, и потребляет при этом примерно половину мощности.
 
Поскольку архитектура DDR4 DRAM поддерживает ограниченное количество модулей RDIMM на канал, то для того, чтобы повысить объем памяти внутри будущих серверов, будет необходимо увеличить пропускную способность модулей памяти. А так как устройства 16Gb DRAM сейчас находятся даже не на горизонте, технологии ТSV будут использоваться для создания сложных чипов памяти с 32GB, 64GB или большей емкостью. В Samsung считают, что они смогут укладывать более четырех DDR4 матриц с использованием технологии 3D TSV, чтобы создать еще более высокие модули плотности DRAM. Это ускорит расширение рынка памяти премиум-класса, в соответствии с ускорением перехода от DDR3 до DDR4 по всему серверному рынку.
 
"Samsung укрепляет свои конкурентные преимущества на рынке DRAM с новым самых современным решением  с использованием своей 3D-технологии TSV, в то время как на мировом рынке DRAM наблюдает рост" сказал Jeeho Пэк, вице-президент по маркетингу Samsung Electronics, "Вводя высокоэнергоэффективные DDR4 модули, собранные с 3D TSV, мы делаем большой шаг вперед на рынке модулей DDR4, который должен резко расшириться с ожидаемым введением процессоров следующего поколения во второй половине этого года."
 
По данным исследования от компании Gartner, мировой рынок DRAM, как ожидается, достигнет 38,6 млрд.долл и 29,8 млрд. единиц (в эквиваленте 1Gb) до конца года. Gartner также прогнозирует, что рынок серверов будет составлять более 20% от производства DRAM в этом году и достигнет приблизительно 6,7 млрд. единиц (1Gb эквивалент).
 

Изображения к материалу:

Чтобы написать здесь комментарий необходимо

КОММЕНТАРИИ: 0 СВЕРНУТЬ


    Нет комментариев. Ваш будет первым!

НОВОСТИ ПО ТЕМЕ

НОВОСТИ СЕГОДНЯ





Система Orphus