SK Hynix, второй по величине в мире производитель DRAM памяти, заявил на этой неделе, что они приступают к началу массового производства DRAM по технологии изготовления 20 нм во второй половине этого года. Новый техпроцесс поможет компании лучше удовлетворять потребности рынка памяти высокого класса.
"Вполне возможно, мы начнем производить память по новой технологии с начала второй половины года", - сказал Пак Санг-вук, главный исполнительный директор SK Hynix, в ответ на вопрос журналиста, сообщает Korea Herald.
До сих пор самые передовыми техпроцессами SK Hynix были 25nm и 29nm. Более тонкий техпроцесс 20 нм позволит производителям DRAM памяти на 30 процентов увеличить эффективность, по сравнению с предыдущим техпроцессом 25nm. В результате, единица стоимости таких микросхем будет ниже, что приведет к более высоким валовым прибылям, а так же возможности продажи по более низкой цене и получению большей доли на рынке.
Некоторые отраслевые эксперты считают, что техпроцесс 20 нм имеет решающее значение для DRAM производителей, в связи с переходом на 8Gb чипы, а также к памяти DDR4.
По данным DRAMeXchange, крупнейшего в мире трекера рынка DRAM, SK Hynix достигли значительного прогресса в скорости и мощности техпроцесса 25 нм в третьем и четвертом квартале 2014 года, что помогло компании поддерживать высокие прибыли. В результате, компания будет поддерживать производство по технологии 25nm в течение некоторого времени в будущем.
Ранее в этом году сообщалось, что Samsung Electronics, № 1 DRAM производитель в мире, будет использовать 20 нм технологии более чем в половине своей продукции компьютерной памяти в конце этого года. Samsung начала массовое производство памяти DRAM по технологии 20 нм в четвертом квартале 2014 года. Micron Technology, третий по величине производитель компьютерной памяти на планете, начал пробный процесс производства микросхем памяти с использованием 20 нм в 4-м квартале 2014 года. Компания, как ожидается, сможет нарастить массовое производство на по техпроцессу 20 нм в этом году, но объемы будут сравнительно ограничены.
Чтобы написать здесь комментарий необходимо