Во вторник в Samsung Electronics заявили, что началось массовое производство модулей памяти и чипов DDR4. На технологии памяти нового поколения будут основываться высококлассные настольные и серверные системы от Intel, находящиеся сейчас в разработке.
Модули памяти DDR4 от Samsung основаны на 20nm 4Gb DDR4 микросхемах. Чипы могут работать на эффективной тактовой частоте 2133Mb/с и 2400Mb/с. Позднее в этом году, Samsung также планирует переход к модулям 8Gb 32GB DDR4 для рынка с серверами высокой плотности.
"В Samsung, мы отводим ведущую роль рынку DDR4, чтобы совпасть по времени выхода со введением процессоров нового поколения Intel Xeon E5-2600 v3, и планируем способствовать созданию большего рынка для DRAM во втором полугодии 2014", сказал Джим Эллиот, вице -президент по маркетингу в Samsung Semiconductor. "Мы будем продолжать внедрять DDR4 модули высокой плотности для всех мировых производителей, которые будут способствовать запуску корпоративных серверов следующего поколения и будет максимально инвестиционно эффективны в сфере IT".
Samsung DDR4 LRDIMMs, RDIMM и ECC SODIMM модули доступны по всему миру в плотностях от 8Гб до 64Гб со скоростью от 2133Mb/с до 2400Mb/с .
Память DDR4 будет использоваться внутри системы на базе процессоров Intel Xeon E5 v3, а также Intel Core i7 5800/5900-series Extreme. Для последнего скорость памяти будет увеличена до 3000Mb/с и выше.
Чтобы написать здесь комментарий необходимо