Революционная технология оксида кремния разработанная в Университете Райса, для компьютерной памяти следующего поколения, теперь на один шаг ближе к массовому потребителю. Это стало возможным благодаря упрощенному тех процессу позволяющему производить чипы при комнатной температуре, традиционными методами производства.
Впервые открытая 5 лет назад, способность оксида кремния сохранять информацию легла в основу технологии "резистивной памяти с произвольным доступом" (RRAM). В журнале Американского химического общества Nano Letters, команда из Университета Райса, во главе с химиком Джеймсом Тоэр сравнила свою технологию с более чем десятком конкурирующих разработок. Эта память превосходит другие похожие технологии почти по всем показателям. И благодаря тому, что она основана на оксиде кремния, наиболее изученного материала на Земле, специалисты пришли к выводу что производство можно будет легко осуществить в обычных условиях.
Тур и его коллеги начали работу над своим RRAM более пяти лет назад. Основная идея которая стоит за резистивной памятью это: помещение диэлектрика (материала который не проводит электричество) между двумя проводниками. Если провести достаточно сильное напряжение через проводники, то в диэлектрике могут образоваться области проводимости, т.о. превратив его из диэлектрика в проводник. Как показывают исследования оксид кремния способен менять свои свойства тысячи и тысячи раз и значит может стать основной для компактной, перезаписываемой, памяти.
Ожидается что RRAM вытеснит flash с рынка уже в течении нескольких лет, т.к. ее производство будет дешевле, она будет быстрее и компактнее. Например с данной технологией 1 Тб данных можно будет уместить в чипе размером с почтовую марку.
Чтобы написать здесь комментарий необходимо